記者從三安光電獲悉，9月29日，三安光電旗下三安集成與金龍汽車子公司金龍新能源在廈門簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，雙方將共同推進碳化硅功率器件在新能源客車電機控制器、輔驅(qū)控制器的樣機試制以及批量應(yīng)用。

三安集成副總經(jīng)理楊健表示，非常榮幸能與中國客車龍頭企業(yè)金龍新能源達成戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，也歡迎更多全球整車、零部件企業(yè)與三安一同探討車規(guī)級第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用。

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶特性，擁有硅（Si）器件無法比擬的電氣性能。碳化硅是硅材料禁帶寬度的3倍左右，能承受更高的工溫度和工作電壓；碳化硅材料擁有更高的電子飽和漂移速率，使其開關(guān)頻率更高、開關(guān)損耗更小。

據(jù)介紹，在純電動汽車的“功率交換器、車載充電器和電機控制器”中采用碳化硅功率器件，能有效減小散熱系統(tǒng)體積；顯著提高工作頻率進而減小無源器件體積、提高功率密度；顯著降低電機控制器的能耗。簡言之，采用碳化硅功率器件，可以使電動汽車實現(xiàn)電氣系統(tǒng)輕量化、低損耗快速充電、承載更大功率和提供更長續(xù)航里程。

目前碳化硅功率器件成本仍相對較高，但隨著全球產(chǎn)業(yè)化進程和產(chǎn)能不斷提升，成本問題可得到解決。

三安集成目前已經(jīng)推出1200V/650V碳化硅肖特基二極管（MPS結(jié)構(gòu)）以及650V氮化鎵E-HEMT產(chǎn)品，1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品也將于2020年四季度推出。今年7月，三安集成宣布長沙碳化硅制造基地動工建設(shè)，總投資160億元，占地面積1000畝，是具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底、外延、芯片及封裝全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)基地。項目全面建成后，碳化硅功率器件產(chǎn)能將從目前的2.4萬片/年提升至36萬片/年。