記者從三安光電獲悉，9月29日，三安光電旗下三安集成與金龍汽車子公司金龍新能源在廈門簽署戰略合作框架協議，雙方將共同推進碳化硅功率器件在新能源客車電機控制器、輔驅控制器的樣機試制以及批量應用。

三安集成副總經理楊健表示，非常榮幸能與中國客車龍頭企業金龍新能源達成戰略合作框架協議，也歡迎更多全球整車、零部件企業與三安一同探討車規級第三代半導體的應用。

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料，因其寬禁帶特性，擁有硅（Si）器件無法比擬的電氣性能。碳化硅是硅材料禁帶寬度的3倍左右，能承受更高的工溫度和工作電壓；碳化硅材料擁有更高的電子飽和漂移速率，使其開關頻率更高、開關損耗更小。

據介紹，在純電動汽車的“功率交換器、車載充電器和電機控制器”中采用碳化硅功率器件，能有效減小散熱系統體積；顯著提高工作頻率進而減小無源器件體積、提高功率密度；顯著降低電機控制器的能耗。簡言之，采用碳化硅功率器件，可以使電動汽車實現電氣系統輕量化、低損耗快速充電、承載更大功率和提供更長續航里程。

目前碳化硅功率器件成本仍相對較高，但隨著全球產業化進程和產能不斷提升，成本問題可得到解決。

三安集成目前已經推出1200V/650V碳化硅肖特基二極管（MPS結構）以及650V氮化鎵E-HEMT產品，1200V碳化硅MOSFET產品也將于2020年四季度推出。今年7月，三安集成宣布長沙碳化硅制造基地動工建設，總投資160億元，占地面積1000畝，是具有自主知識產權的襯底、外延、芯片及封裝全產業鏈生產基地。項目全面建成后，碳化硅功率器件產能將從目前的2.4萬片/年提升至36萬片/年。