- 捷捷微電：目前擁有氮化鎵相關實用新型專利2件
- 2020年02月21日來源：證券時報
提要：捷捷微電 2月21日在互動平臺表示，公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件。
捷捷微電 2月21日在互動平臺表示，公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，截至至2月20日，公司擁有氮化鎵相關實用新型專利2件，此外，公司還有3個發明專利，1個實用新型專利尚在申請受理中。
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責任編輯：齊蒙
