“我們正在加快制程工藝創新的路線圖，以確保到 2025 年制程性能再度領先業界。”7月27日，在Inel Accelerated大會上，英特爾首席執行官基辛格（Pat Gelsinger）表示，摩爾定律仍在持續生效。

在當天大會上，英特爾公布了未來制程技術路線圖，同時介紹了下一代極紫外光刻（EUV）技術的使用計劃。根據進展，英特爾有望獲得業內第一臺High-NA EUV光刻機。而在客戶上，基辛格透露已與AWS簽約，該公司將成為第一個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶。同時，高通也將采用Intel 20A制程工藝技術，這一技術預計將在2024年推出。

改變制程節點游戲命名規則

自上任以來，基辛格推出了多項措施以改變英特爾在晶圓制造領域的被動局面，而這一次，英特爾試圖改變制程工藝上存在已久的命名游戲規則。

在發布會上，英特爾公布了未來5年的技術路線圖，對芯片的制程工藝進行了新的命名，10納米Enhanced SuperFin更名為“Intel 7”、Intel 7納米更名為“Intel 4”、其后是“Intel 3”、下一代將是“Intel 20A”、 “Intel 18A”。

“對節點進行重新命名，不再簡單根據晶體管里面的數量來評估生產工藝是多少納米，這是英特爾從多個維度思考的結果。2011年之后，數字代號的納米競爭變成了市場營銷的代名詞，但實際上和制造工藝上和節點命名有沒有關系無法衡量。”27日早間，英特爾研究院副總裁，英特爾中國研究院院長宋繼強對包括第一財經在內的記者表示，希望更名后給業內更完整的概念，接近1納米以下的工藝也有一個好的命名規范，這是英特爾的思考。

從晶圓制造行業發展來看，數十年來，制程工藝“節點”的名稱與晶體管的柵極長度相對應，即使用反映尺寸單位（如納米）的遞減數字來為節點命名。但在英特爾看來，整個行業使用著各不相同的制程節點命名和編號方案，這些多樣的方案既不再指代任何具體的度量方法，也無法全面展現如何實現能效和性能的最佳平衡。

英特爾稱，更新后的命名體系將創建一個清晰而有意義的框架，來幫助行業和客戶對整個行業的制程節點演進有更準確的認知進而做出決策。其中，A代表埃米，這是是晶體學、原子物理、超顯微結構等常用的長度單位，1?等于納米的十分之一。而在Intel 3之后的下一個節點將被命名為Intel 20A，這一命名反映了半導體的“埃米時代”的到來，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時代。

拿下亞馬遜和高通訂單

近年來，英特爾正經歷從“PC中心”到“數據中心”的轉型。但在數據成為“新石油”的時代，看到數據中心這一蛋糕的不僅僅有英特爾，英偉達、AMD都試圖通過并購進一步搶占這一市場。另一方面，英特爾在數據中心領域的客戶，谷歌、亞馬遜、阿里巴巴等都開始自研芯片。

為了扭轉英特爾在半導體行業競爭中的頹勢，基辛格在上任后提出了IDM 2.0計劃。基辛格表示，IDM2.0計劃由三個關鍵部分組成：第一，英特爾希望繼續在內部完成大部分產品的生產；第二，希望進一步增強與第三方代工廠的合作；第三，將投資打造世界一流的代工業務，成為代工產能的主要提供商，起于美國和歐洲以滿足全球對半導體生產的巨大需求。

從技術路線來看，2021年即將推出的Alder Lake客戶端產品將會采Intel 7工藝，之后是面向數據中心的 Sapphire Rapids預計將于 2022 年第一季度投產。而Intel 4將在2022年下半年投產，并于2023年出貨，這些產品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids，Intel 3則將于2023年下半年開始用于相關產品生產。

而Intel 20A具有RibbonFET和PowerVia技術，英特爾憑這兩項技術拿下了高通。具體來看，RibbonFET將成為英特爾自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。PowerVia則是業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。

此外，基辛格表示，預計在今年年底前宣布在歐洲以及美國的進一步工廠布局。“這將是一筆足以支持大型晶圓廠的巨額投資，雖然我們自己已在推進其中的一些投資項目，但同時歡迎美國和歐盟的政策制定者能夠以緊迫感采取行動，加快我們和集成電路產業其他公司的項目進展。”

基辛格表示，英特爾代工服務已經正式啟動。根據英特爾公布的計劃，AWS將成為首個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶。

“但從短期來看，英特爾依然難以撼動臺積電的地位，但從長期來看，美國等地的政策支持將會為其帶來更多的本土客戶，也會進一步對目前的晶圓制造格局帶來產生影響。”臺灣一產業分析師對記者如是表示。

截至最新美股收盤，臺積電市值達5998億美元，英特爾為2191億美元。